БАРДИН Джон (p. 23.V 1908) - американский физик, член Национальной АН (1954). Р. в Мадисоне. Окончил Висконсинский (1828) и Принстонский ун-ты. В 1935 — 38 работал в Гарвардском ун-те, в 1938—41 —в Миннесотском, в 1945 — 51 — в лабораториях Бэлл-телефон, с 1951 — профессор Иллинойс- ского ун-та
2.3
Работы посвящены физике твердого тела и сверхпроводимости. Вместе с У. Браттейном открыл в 1948 транзисторный эффект и создал кристаллический триод с точечным контактом — первый полупроводниковый транзистор (Нобелевская премия, 1956). Совместно с Дж. Пирсоном исследовал большое количество образцов кремния с различным содержанием фосфора и серы и рассмотрел механизм рассеяния на донорах и акцепторах (1949). В 1950 с У. Шокли ввел понятие деформационного потенциала. Независимо от Г. Фрёлиха предсказал (1950) притяжение между электронами за счет обмена виртуальными фононами и в 1951 предпринял попытку построения теории сверхпроводимости, основанную на учете электронно-фононного взаимодействия, в 1952 провел вычисления притяжения между электронами, обусловленного обменом виртуальными фононами. В 1957 совместно с JI. Купером и Дж. Шриффером построил микроскопическую теорию сверхпроводимости (теория Бардина —Купера —Шриффера) (Нобелевская премия, 1972). Развил теорию эффекта Мейсснера на основе модели с энергетической щелью, независимо от других обобщил в 1958 теорию электромагнитных свойств сверхпроводников на случай полей произвольной частоты. В 1961 предложил в теории туннелирования метод эффективного гамильтониана (модель туннелирования Бардина), в 1962 вычислил критические поля и токи для тонких пленок.
В 1968 — 69 был президентом Американского физического об-ва. Медаль Ф. Лондона (1962), Национальная медаль за науку (1965) и др. [37, 558, 559].
